NTP125N02RG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTP125N02RG
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB
Datenblätte:	NTP125N02RG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4881 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4881 pcs

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Spezifikationen von NTP125N02RG

Artikelnummer	NTP125N02RG	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4881 pcs	Datenblatt	NTP125N02RG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	1.98W (Ta), 113.6W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	NTP125N02RGOS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3440pF @ 20V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	24V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 24V 15.9A (Ta) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	15.9A (Ta)

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