NTP60N06G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTP60N06G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Datenblätte:	NTP60N06G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3705 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3705 pcs

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Spezifikationen von NTP60N06G

Artikelnummer	NTP60N06G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3705 pcs	Datenblatt	NTP60N06G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	2.4W (Ta), 150W (Tj)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	NTP60N06GOS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3220pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	60A (Ta)

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