NTP65N02R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTP65N02R
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
Datenblätte:	NTP65N02R.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5652 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5652 pcs

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Spezifikationen von NTP65N02R

Artikelnummer	NTP65N02R	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5652 pcs	Datenblatt	NTP65N02R.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	1.04W (Ta), 62.5W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	NTP65N02ROS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 20V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 7.6A (Ta), 58A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.6A (Ta), 58A (Tc)

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