NVMFS5C430NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NVMFS5C430NT1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 40V SO8FL
Datenblätte:	NVMFS5C430NT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	155185 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 155185 pcs

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Spezifikationen von NVMFS5C430NT1G

Artikelnummer	NVMFS5C430NT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V SO8FL	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	155185 pcs	Datenblatt	NVMFS5C430NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	3.8W (Ta), 106W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 3.8W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-

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