NVMFS6B85NLT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NVMFS6B85NLT3G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Datenblätte:	NVMFS6B85NLT3G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	270263 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 270263 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von NVMFS6B85NLT3G

Artikelnummer	NVMFS6B85NLT3G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	270263 pcs	Datenblatt	NVMFS6B85NLT3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	3.5W (Ta), 42W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN, 5 Leads	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 5.6A (Ta), 19A (Tc) 3.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.6A (Ta), 19A (Tc)

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