RFD3055SM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RFD3055SM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Datenblätte:	RFD3055SM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4004 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4004 pcs

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Spezifikationen von RFD3055SM

Artikelnummer	RFD3055SM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4004 pcs	Datenblatt	RFD3055SM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252AA
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	53W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 20V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 12A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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