AS4C64M8SA-7TCN

Alliance Memory, Inc.

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Produktübersicht

Artikelnummer:	AS4C64M8SA-7TCN
Hersteller / Marke:	Alliance Memory, Inc.
Produktbeschreibung	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5979 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5979 pcs

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Spezifikationen von AS4C64M8SA-7TCN

Artikelnummer	AS4C64M8SA-7TCN	Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Beschreibung	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5979 pcs	Datenblatt
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	Spannungsversorgung	3 V ~ 3.6 V
Technologie	SDRAM	Supplier Device-Gehäuse	54-TSOP II
Serie	-	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)
Speichertyp	Volatile	Speichergröße	512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle	Parallel	Speicherformat	DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	detaillierte Beschreibung	SDRAM Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
Uhrfrequenz	133MHz	Zugriffszeit	5.4ns

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