AOB412L

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Produktübersicht

Artikelnummer:	AOB412L
Hersteller / Marke:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3163 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3163 pcs

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Spezifikationen von AOB412L

Artikelnummer	AOB412L	Hersteller	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3163 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263 (D²Pak)
Serie	SDMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	2.6W (Ta), 150W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3220pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.2A (Ta), 60A (Tc)

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