BYG10JHE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BYG10JHE3/TR3
Hersteller / Marke:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Produktbeschreibung	DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Datenblätte:	1.BYG10JHE3/TR3.pdf 2.BYG10JHE3/TR3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	699734 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 699734 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

7500 pcs: $0.046

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Spezifikationen von BYG10JHE3/TR3

Artikelnummer	BYG10JHE3/TR3	Hersteller	Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung	DIODE AVALANCHE 600V 1.5A	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	699734 pcs	Datenblatt	1.BYG10JHE3/TR3.pdf 2.BYG10JHE3/TR3.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Avalanche	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5A
Spannung - Durchschlag	DO-214AC (SMA)	Serie	-
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	DO-214AC, SMA
Betriebstemperatur - Anschluss	4µs	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	BYG10JHE3/TR3
Expanded Beschreibung	Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)	Diodenkonfiguration	1µA @ 600V
Beschreibung	DIODE AVALANCHE 600V 1.5A	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.15V @ 1.5A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	600V	Kapazität @ Vr, F	-55°C ~ 150°C

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