1N4007B-G

Comchip Technology

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Produktübersicht

Artikelnummer:	1N4007B-G
Hersteller / Marke:	Comchip Technology
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Datenblätte:	1N4007B-G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	481339 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 481339 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.063

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Spezifikationen von 1N4007B-G

Artikelnummer	1N4007B-G	Hersteller	Comchip Technology
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	481339 pcs	Datenblatt	1N4007B-G.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	1000V
Supplier Device-Gehäuse	DO-41	Geschwindigkeit	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	DO-204AL, DO-41, Axial	Andere Namen	1N4007B-G-ND 641-1967
Betriebstemperatur - Anschluss	-55°C ~ 150°C	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Standard	detaillierte Beschreibung	Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 1000V	Strom - Richt (Io)	1A
Kapazität @ Vr, F	15pF @ 4V, 1MHz	Basisteilenummer	1N4007

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Nach dem Verkauf
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