1N4006GL-T

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	1N4006GL-T
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Datenblätte:	1N4006GL-T.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6125 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6125 pcs

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Spezifikationen von 1N4006GL-T

Artikelnummer	1N4006GL-T	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 1A DO41	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6125 pcs	Datenblatt	1N4006GL-T.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	800V
Supplier Device-Gehäuse	DO-41	Geschwindigkeit	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	2µs
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	DO-204AL, DO-41, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss	-65°C ~ 175°C	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Standard	detaillierte Beschreibung	Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 800V	Strom - Richt (Io)	1A
Kapazität @ Vr, F	8pF @ 4V, 1MHz	Basisteilenummer	1N4006

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