2N7002DWQ-7-F

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N7002DWQ-7-F
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Datenblätte:	2N7002DWQ-7-F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	210914 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 210914 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.172

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Spezifikationen von 2N7002DWQ-7-F

Artikelnummer	2N7002DWQ-7-F	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	210914 pcs	Datenblatt	2N7002DWQ-7-F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SOT-363
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Leistung - max	310mW	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Andere Namen	2N7002DWQ-7-FDIDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 310mW Surface Mount SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	230mA

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