2N7002TQ-7-F

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N7002TQ-7-F
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET NCH 60V 115MA SOT523
Datenblätte:	2N7002TQ-7-F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1064557 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1064557 pcs

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Spezifikationen von 2N7002TQ-7-F

Artikelnummer	2N7002TQ-7-F	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET NCH 60V 115MA SOT523	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1064557 pcs	Datenblatt	2N7002TQ-7-F.pdf
Vgs (Max)	±20V	Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-523	Serie	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 Ohm @ 500mA, 10V	Verlustleistung (max)	150mW (Ta)
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SOT-523
Andere Namen	2N7002TQ-7-F-ND 2N7002TQ-7-FDITR	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 115mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SOT-523	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	115mA (Ta)

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