BSS123-7-F

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BSS123-7-F
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Datenblätte:	BSS123-7-F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2166156 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2166156 pcs

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Spezifikationen von BSS123-7-F

Artikelnummer	BSS123-7-F	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2166156 pcs	Datenblatt	BSS123-7-F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
Verlustleistung (max)	300mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	BSS123-FDITR BSS1237F
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 170mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	170mA (Ta)

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