BSS8402DWQ-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BSS8402DWQ-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 60V/50V
Datenblätte:	BSS8402DWQ-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	502250 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 502250 pcs

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Spezifikationen von BSS8402DWQ-7

Artikelnummer	BSS8402DWQ-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 60V/50V	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	502250 pcs	Datenblatt	BSS8402DWQ-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SOT-363
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 Ohm @ 500mA, 10V
Leistung - max	200mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Andere Namen	Q8604571
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V, 50V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	115mA, 130mA

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