DGD2101S8-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DGD2101S8-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Datenblätte:	DGD2101S8-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	157181 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 157181 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von DGD2101S8-13

Artikelnummer	DGD2101S8-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	157181 pcs	Datenblatt	DGD2101S8-13.pdf
Spannungsversorgung	10 V ~ 20 V	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Aufstieg / Fallzeit (Typ)	70ns, 35ns
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen	DGD2101S8-13DITR	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Anzahl der Treiber	2	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Logikspannung - VIL, VIH	0.8V, 2.5V
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Non-Inverting
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap)	600V	Gate-Typ	IGBT, N-Channel MOSFET
Angetriebene Konfiguration	Half-Bridge	detaillierte Beschreibung	Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink)	290mA, 600mA	Ladestrom	Independent

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