DI9952T

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DI9952T
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	70784 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 70784 pcs

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Spezifikationen von DI9952T

Artikelnummer	DI9952T	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	70784 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	-	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Leistung - max	2W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	DI9952TR
Betriebstemperatur	-	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A 2W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.9A	Basisteilenummer	DI9952

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