DMC3021LSDQ-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMC3021LSDQ-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
Datenblätte:	DMC3021LSDQ-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	124749 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 124749 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.242

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Spezifikationen von DMC3021LSDQ-13

Artikelnummer	DMC3021LSDQ-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	124749 pcs	Datenblatt	DMC3021LSDQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max	2.5W	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	DMC3021LSDQ-13DIDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	767pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.1nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.5A, 7A 2.5W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.5A, 7A

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