DMG1016V-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMG1016V-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Datenblätte:	DMG1016V-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	855099 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 855099 pcs

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Spezifikationen von DMG1016V-7

Artikelnummer	DMG1016V-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V SOT563	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	855099 pcs	Datenblatt	DMG1016V-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SOT-563
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Leistung - max	530mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666	Andere Namen	DMG1016V-7DITR DMG1016V7
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	60.67pF @ 16V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 4.5V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	870mA, 640mA	Basisteilenummer	DMG1016V

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