DMG3N60SJ3

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMG3N60SJ3
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Datenblätte:	DMG3N60SJ3.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	157810 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 157810 pcs

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Spezifikationen von DMG3N60SJ3

Artikelnummer	DMG3N60SJ3	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	157810 pcs	Datenblatt	DMG3N60SJ3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-251
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)	41W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3, IPak, Short Leads	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	354pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.6nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.8A (Tc)

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