DMG4800LFG-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMG4800LFG-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Datenblätte:	DMG4800LFG-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	185852 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 185852 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.197

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Spezifikationen von DMG4800LFG-7

Artikelnummer	DMG4800LFG-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	185852 pcs	Datenblatt	DMG4800LFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	U-DFN3030-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)	940mW (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-PowerUDFN	Andere Namen	DMG4800LFG-7DIDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	798pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.47nC @ 5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 7.44A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.44A (Ta)

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