DMG4N65CTI

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMG4N65CTI
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
Datenblätte:	DMG4N65CTI.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	62379 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 62379 pcs

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Spezifikationen von DMG4N65CTI

Artikelnummer	DMG4N65CTI	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	62379 pcs	Datenblatt	DMG4N65CTI.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ITO-220AB
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	8.35W (Ta)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Andere Namen	DMG4N65CTIDI
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)

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