DMG6301UDW-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMG6301UDW-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Datenblätte:	DMG6301UDW-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1103825 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1103825 pcs

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Artikelnummer	DMG6301UDW-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1103825 pcs	Datenblatt	DMG6301UDW-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SOT-363
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Leistung - max	300mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	27.9pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.36nC @ 4.5V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 240mA 300mW Surface Mount SOT-363	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	240mA

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