DMG7N65SCTI

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMG7N65SCTI
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB
Datenblätte:	DMG7N65SCTI.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	83101 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 83101 pcs

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Spezifikationen von DMG7N65SCTI

Artikelnummer	DMG7N65SCTI	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	83101 pcs	Datenblatt	DMG7N65SCTI.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ITO-220AB
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	28W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	886pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 7.7A (Tc) 28W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.7A (Tc)

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