DMJ70H1D5SV3

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMJ70H1D5SV3
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
Datenblätte:	DMJ70H1D5SV3.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	81935 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 81935 pcs

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Spezifikationen von DMJ70H1D5SV3

Artikelnummer	DMJ70H1D5SV3	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	81935 pcs	Datenblatt	DMJ70H1D5SV3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-251
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	78W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Stub Leads, IPak	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	316pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	700V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 700V 5A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5A (Tc)

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