DMN10H220L-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN10H220L-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
Datenblätte:	DMN10H220L-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	551000 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 551000 pcs

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Spezifikationen von DMN10H220L-7

Artikelnummer	DMN10H220L-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	551000 pcs	Datenblatt	DMN10H220L-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.6A, 10V
Verlustleistung (max)	1.3W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	DMN10H220L-7DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	401pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 1.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.4A (Ta)
Basisteilenummer	DMN10H220

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