DMN2400UFDQ-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN2400UFDQ-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Datenblätte:	DMN2400UFDQ-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	927754 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 927754 pcs

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Spezifikationen von DMN2400UFDQ-7

Artikelnummer	DMN2400UFDQ-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	927754 pcs	Datenblatt	DMN2400UFDQ-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	U-DFN1212-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	400mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	3-UDFN	Andere Namen	DMN2400UFDQ-7DI
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	37pF @ 16V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount U-DFN1212-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	900mA (Ta)

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