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DMN2600UFB-7

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Produktübersicht

Artikelnummer: DMN2600UFB-7
Hersteller / Marke: Diodes Incorporated
Produktbeschreibung MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Datenblätte: DMN2600UFB-7.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 195229 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 195229 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
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Spezifikationen von DMN2600UFB-7

Artikelnummer DMN2600UFB-7 Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 195229 pcs Datenblatt DMN2600UFB-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max) 540mW (Ta) Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse 3-UFDFN Andere Namen DMN2600UFB-7DIDKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70.13pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.85nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
detaillierte Beschreibung N-Channel 25V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A (Ta)

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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