DMN3010LK3-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN3010LK3-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 43A TO252
Datenblätte:	DMN3010LK3-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	293453 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 293453 pcs

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Spezifikationen von DMN3010LK3-13

Artikelnummer	DMN3010LK3-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 43A TO252	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	293453 pcs	Datenblatt	DMN3010LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	DMN3010LK3-13DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2075pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 13.1A (Ta), 43A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13.1A (Ta), 43A (Tc)

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