DMN3020LK3-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN3020LK3-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
Datenblätte:	DMN3020LK3-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5482 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5482 pcs

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Spezifikationen von DMN3020LK3-13

Artikelnummer	DMN3020LK3-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5482 pcs	Datenblatt	DMN3020LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)	2.17W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	DMN3020LK3-13DICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	608pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 11.3A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11.3A (Ta)

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