DMN3027LFG-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN3027LFG-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
Datenblätte:	DMN3027LFG-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	268767 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 268767 pcs

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Spezifikationen von DMN3027LFG-13

Artikelnummer	DMN3027LFG-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	268767 pcs	Datenblatt	DMN3027LFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI3333-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.6 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	DMN3027LFG-13DI
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	580pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 5.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.3A (Ta)

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