DMN31D6UT-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN31D6UT-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Datenblätte:	DMN31D6UT-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2171607 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2171607 pcs

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Artikelnummer	DMN31D6UT-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2171607 pcs	Datenblatt	DMN31D6UT-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-523
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	320mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-523	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13.6pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 350mA (Ta) 320mW Surface Mount SOT-523	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	350mA (Ta)

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