DMN3900UFA-7B

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN3900UFA-7B
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
Datenblätte:	DMN3900UFA-7B.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1016014 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1016014 pcs

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Spezifikationen von DMN3900UFA-7B

Artikelnummer	DMN3900UFA-7B	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1016014 pcs	Datenblatt	DMN3900UFA-7B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	X2-DFN0806-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	760 mOhm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	390mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	3-XFDFN	Andere Namen	DMN3900UFA-7BTR DMN3900UFA7B
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	42.2pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 550mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	550mA (Ta)

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