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DMN4800LSSQ-13

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
DMN4800LSSQ-13 Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: DMN4800LSSQ-13
Hersteller / Marke: Diodes Incorporated
Produktbeschreibung MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
Datenblätte: DMN4800LSSQ-13.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 513630 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 513630 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
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Spezifikationen von DMN4800LSSQ-13

Artikelnummer DMN4800LSSQ-13 Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 513630 pcs Datenblatt DMN4800LSSQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Vgs (Max) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie Automotive, AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max) 1.46W (Ta) Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Andere Namen DMN4800LSSQ-13DI
DMN4800LSSQ-13DI-ND
DMN4800LSSQ-13DITR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 5V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 8.6A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.6A (Ta)

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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