DMN6040SFDE-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN6040SFDE-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN
Datenblätte:	DMN6040SFDE-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	347634 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 347634 pcs

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Spezifikationen von DMN6040SFDE-7

Artikelnummer	DMN6040SFDE-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	347634 pcs	Datenblatt	DMN6040SFDE-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	U-DFN2020-6 (Type E)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 4.3A, 10V
Verlustleistung (max)	660mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-UDFN Exposed Pad	Andere Namen	DMN6040SFDE-7DITR DMN6040SFDE7
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1287pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.4nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 5.3A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.3A (Ta)

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