DMN62D1LFB-7B

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN62D1LFB-7B
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006
Datenblätte:	DMN62D1LFB-7B.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	169073 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 169073 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.183

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Spezifikationen von DMN62D1LFB-7B

Artikelnummer	DMN62D1LFB-7B	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	169073 pcs	Datenblatt	DMN62D1LFB-7B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	X1-DFN1006-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 100mA, 4V
Verlustleistung (max)	500mW (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	3-UFDFN	Andere Namen	DMN62D1LFB-7BDICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	64pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.9nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	320mA (Ta)

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