DMN65D8LFB-7B

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN65D8LFB-7B
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Datenblätte:	DMN65D8LFB-7B.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1794580 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1794580 pcs

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Spezifikationen von DMN65D8LFB-7B

Artikelnummer	DMN65D8LFB-7B	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1794580 pcs	Datenblatt	DMN65D8LFB-7B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	X1-DFN1006-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 115mA, 10V
Verlustleistung (max)	430mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	3-UFDFN	Andere Namen	DMN65D8LFB-7BDITR DMN65D8LFB7B
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 25V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	260mA (Ta)

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