DMP2005UFG-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMP2005UFG-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Datenblätte:	DMP2005UFG-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	252627 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 252627 pcs

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Artikelnummer	DMP2005UFG-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	252627 pcs	Datenblatt	DMP2005UFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI3333-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (max)	2.2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4670pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 89A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	89A (Tc)

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