DMP2010UFG-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMP2010UFG-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Datenblätte:	DMP2010UFG-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	267525 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 267525 pcs

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Artikelnummer	DMP2010UFG-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	267525 pcs	Datenblatt	DMP2010UFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI3333-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Verlustleistung (max)	900mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	DMP2010UFG-7DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3350pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	103nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12.7A (Ta), 42A (Tc)

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