DMP22D4UFO-7B

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMP22D4UFO-7B
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 530MA X2DFN0604
Datenblätte:	DMP22D4UFO-7B.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	713428 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 713428 pcs

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Artikelnummer	DMP22D4UFO-7B	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 530MA X2DFN0604	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	713428 pcs	Datenblatt	DMP22D4UFO-7B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	X2-DFN0604-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	820mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	3-XFDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	28.7pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 530mA (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0604-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	530mA (Ta)

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