DMP3065LVT-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMP3065LVT-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26
Datenblätte:	DMP3065LVT-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4930 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4930 pcs

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Spezifikationen von DMP3065LVT-13

Artikelnummer	DMP3065LVT-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4930 pcs	Datenblatt	DMP3065LVT-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TSOT-26
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 4.9A, 10V
Verlustleistung (max)	1.2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 5.1A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.1A (Ta)

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