DMP45H4D9HJ3

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMP45H4D9HJ3
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
Datenblätte:	DMP45H4D9HJ3.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	111110 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 111110 pcs

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Artikelnummer	DMP45H4D9HJ3	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	111110 pcs	Datenblatt	DMP45H4D9HJ3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-251
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 Ohm @ 1.05A, 10V
Verlustleistung (max)	104W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3, IPak, Short Leads	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	547pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.7nC @ 10V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	450V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 450V 4.6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.6A (Tc)

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