DMT3011LDT-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMT3011LDT-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Datenblätte:	DMT3011LDT-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	267153 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 267153 pcs

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Artikelnummer	DMT3011LDT-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	267153 pcs	Datenblatt	DMT3011LDT-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	V-DFN3030-8 (Type K)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6A, 10V
Leistung - max	1.9W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-VDFN Exposed Pad	Andere Namen	DMT3011LDT-7-ND DMT3011LDT-7DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 155°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	641pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A, 10.7A

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