DMT6009LPS-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMT6009LPS-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Datenblätte:	DMT6009LPS-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	208656 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 208656 pcs

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Spezifikationen von DMT6009LPS-13

Artikelnummer	DMT6009LPS-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	208656 pcs	Datenblatt	DMT6009LPS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI5060-8
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	2.3W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	DMT6009LPS-13DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1925pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 10.6A (Ta), 87A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10.6A (Ta), 87A (Tc)

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