DMT6012LSS-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMT6012LSS-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V8SOIC
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5162 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5162 pcs

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Spezifikationen von DMT6012LSS-13

Artikelnummer	DMT6012LSS-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5162 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	1.2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1522pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.2nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 10.4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10.4A (Ta)

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