DMT8012LSS-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMT8012LSS-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
Datenblätte:	DMT8012LSS-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	264395 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 264395 pcs

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Spezifikationen von DMT8012LSS-13

Artikelnummer	DMT8012LSS-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	264395 pcs	Datenblatt	DMT8012LSS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	1.5W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	DMT8012LSS-13DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1949pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.7A (Ta)

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