DMTH4007SPDQ-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMTH4007SPDQ-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
Datenblätte:	DMTH4007SPDQ-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	137346 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 137346 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von DMTH4007SPDQ-13

Artikelnummer	DMTH4007SPDQ-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	137346 pcs	Datenblatt	DMTH4007SPDQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI5060-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 17A, 10V
Leistung - max	2.6W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	DMTH4007SPDQ-13DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2026pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41.9nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 14.2A 2.6W Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	14.2A

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