DMTH6005LPSQ-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMTH6005LPSQ-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
Datenblätte:	DMTH6005LPSQ-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	56720 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56720 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.664

10 pcs: $0.588

100 pcs: $0.465

500 pcs: $0.36

1000 pcs: $0.285

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Spezifikationen von DMTH6005LPSQ-13

Artikelnummer	DMTH6005LPSQ-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	56720 pcs	Datenblatt	DMTH6005LPSQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI5060-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	3.2W (Ta), 150W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	DMTH6005LPSQ-13DICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2962pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47.1nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 20.6A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20.6A (Ta), 100A (Tc)

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