MMDT5551-7-F

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MMDT5551-7-F
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Datenblätte:	MMDT5551-7-F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1060795 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1060795 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.031

6000 pcs: $0.028

15000 pcs: $0.025

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Spezifikationen von MMDT5551-7-F

Artikelnummer	MMDT5551-7-F	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1060795 pcs	Datenblatt	MMDT5551-7-F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	160V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ	2 NPN (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-363
Serie	-	Leistung - max	200mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen	MMDT5551-FDITR MMDT55517F	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	300MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	200mA
Basisteilenummer	MMDT5551

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