UMG4N-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	UMG4N-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Datenblätte:	UMG4N-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	564419 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 564419 pcs

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Spezifikationen von UMG4N-7

Artikelnummer	UMG4N-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	564419 pcs	Datenblatt	UMG4N-7.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-353
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	-
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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